铌酸锂晶体的制备过程是什么?

铌酸锂晶体可谓是晶体学术领域的常青树，其物理效应的多样化和缺陷构造的可调控性深深吸引众多领域专家的重视，在光电子、声电子和光量子信息领域显现出非常大的应用潜力。接下来我们看看光宝光电给大家介绍的关于铌酸锂晶体的制备。

铌酸锂晶体品种繁多，制备方法也各式各样。在本内容中，我们将铌酸锂晶体按同成分铌酸锂晶体、近化学计量比铌酸锂晶体、铌酸锂单晶薄膜、铌酸锂单晶光纤不同类型进行细分，论述了每种类型下较为适宜的制备方法。

目前同成分铌酸锂晶体流行生长方法为提拉法，全世界大部分成功生长出大尺寸铌酸锂晶体科研团队均是选用此方法，此外，泡生法、导模法、温梯法等也曾用来进行铌酸锂晶体的制备，但是和提拉法对比并没有明显优势或具有明确的业务需求，所以并未得到广泛的关注。

　　鉴于近化学计量比铌酸锂晶体优异的光电性能，但是却不能通过常规提拉法进行高质量晶体的生长，多年以来，围绕其制备工艺，众多单位开展了很多的研究工作。目前大多采用的有富锂熔体法、助熔剂法、扩散法等。

但在铌酸锂单晶薄膜的制备上，传统薄膜制备技术如化学气相沉积、分子束外延、溶胶-凝胶、磁控溅射等均没有获得广泛运用，真正得到应用的办法是“离子切片”技术，该方法先将铌酸锂晶片贴装在一个衬底上，随后用氦离子垂直注入到铌酸锂晶片中，然后将离子注入后的晶体放入稀释后的氢氟酸中进行腐蚀，铌酸锂晶体的表层会剥离下来，从而获得了单晶薄膜。

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