化学式 | Tb3Ga5O12 |
晶格参数 | a=12.355Å |
生长方式 | Czocralski |
密度 | 7.13g/cm3 |
莫氏硬度 | 8 |
熔点 | 1725 ℃ |
折光率 | 1.954 at 1064nm |
晶体结构: | [111] |
消光比(2/3以上的透明光圈): | 30 dB |
Verdet常数(632 nm): | -134 RadT-1m-1 |
Verdet常数(1064 nm): | -40 RadT-1m-1 |
导热系数: | 7.4 W cm-1 K-1 |
折光率: | 1.95 |
非线性指标,n2: | 8 |
品质因数,V / a: | 27 |
品质因数,V / n2: | 5 |
TGG晶体案例(一)用于法拉第旋光器和隔离器
规格: φ13×4 mm / 10×10×10 mm;
方向:111;
通光孔径 >90%
TGG晶体案例(二)
规格:φ10×1 mm
定向:[111]
TGG晶体案例(三)
规格:Ø3.2×25 mm;
增透膜: 双面镀膜@1064 nm R<0.5%
TGG晶体案例(四)
规格:Ø2×5 mm, Ø2×10 mm;
端面双面抛光;
不镀膜
磁光波导
基于TGG晶体的15mev C3+离子辐照Famagneto光波导。离子辐照过程导致TGG波导的光学各向异性,阻碍了波导中的磁光旋转。为了消除辐照引起的光学各向异性,我们在不同条件下对辐照后的TGG波导进行了退火处理。在400℃退火1小时后,在0.24T磁场下,在632.8nm波长的波导中观察到每厘米14°的磁光旋转,这与在相同磁场下在TGG晶体中观察到的情况相当。
基于TGG晶体的离子辐照磁光波导
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