半导体激光器主要是以半导体材料为增益介质的激光器，借助半导体能带之间跃迁发光，一般以天然解理面为谐振腔。所以其具有波长覆盖面广、体积小、结构稳定、抗辐射能力强、泵浦方式多样、产出率高、可靠性好、易高速调制等优点，并且也具备输出光束质量差，光束发散角大，光斑不一样，受到带间辐射的影响导致光谱纯度差、工艺制备难度高的特点。
不同半导体工作物质产生激光的过程存在较大差异，当前常见的半导体物质包括了InP(磷化铟)、CdS(硫化镉)、ZnS(硫化锌)、GaAs(砷化镓)等。按照半导体器件不同可以把半导体划分成单异质结、同质结、双异质结等。按照输出功率的不同可将半导体激光器分为小功率半导体激光器与大功率半导体激光器两种。半导体激光器工作原理在半导体价带与导带之间借助激励方式，实现空穴复合产生受激发射，在这个过程中因为激励导致的粒子数反转尤为重要。
半导体激光器的可靠性在运用中是一个很重要的技术指标。在通信、光存储等领域，小功率半导体的可靠性已基本解决，工作寿命可达到实用要求。高功率半导体激光器在大电流工作连续输出时面临着端面灾变性损伤、烧孔、电热烧毁、光丝效应，及其微通道热沉的寿命等基础问题。解决这些问题是通过以下方法:提高晶体生长质量;改善制备方法和封装技术;增大光斑尺寸;优化传热结构与散热方法等。
现在国际上半导体激光器研究的重要技术问题是:怎样同时拥有高功率、可靠性高和高能量转换效率，另外提高光束质量并有着良好的光谱特性。伴随着材料生长技术和器件制备方法的发展和进步，新的有源材料不断出现，更好的器件结构和工艺日趋成熟，半导体激光器的功率、可靠性和能量转换效率都得到了迅速提高;之前相比于其他激光器的劣势，如光束质量差、光谱线宽过大等问题也获得了相当程度的改善，半导体激光器的性能得到不断的提高，在大多数领域正在逐渐取代其他激光光源，而且其应用价值也越来越广泛。
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